，但一些技术和材料依然是一个巨大的挑战，就是进入摩尔定律新的篇章之后，9纳米以下的工艺需要降低成本，分辨率更高的极紫外光刻胶技术。”

光刻胶，这就是下一个技术痛点了。

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众人默默的点头，之前极紫外光刻技术的临界多在光源，因为光源的功率不足会影响芯片的生产效率。

而光源问题解决之后，新的挑战即是光刻胶技术的限制了。

……

众人也都猜到了罗晟要讲什么了，如今的半导体工艺被推展至10纳米制程，但是实现特定图形变得越来越困难，并且多重曝光也带来了生产成本的上升。

罗晟继续道：“引入极紫外光刻技术后，其所扮演的角色是最新逻辑工艺的关键光刻层，在芯片制造商被引入之前，极紫外是有光刻机、光源、光刻胶和光掩膜组成。”
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